手机续航2周 IBM三星集团开发VTFET芯片技术：性能提升200%

目前集成电路瓷并未发展到了5nm，明年LG摩托罗拉都在抢3nm瓷亮相，之后还会有2nm瓷，日后之后的1nm路由又是个分水岭了，所需全新的集成电路技术。

IBM、LG等公司上半年公告了世界各地首个2nm瓷芯片，今天双方又在IEDM 2021会议上宣布了不断更新的共同成果，推出了VTFET（垂直通信场效应电路）技术，它与传统电路的电容器水平斜向通信相同，是垂直斜向通信的，年末进军1nm及下述瓷。

根据IBM及LG的说法，VTFET技术有2个优点，一个是可以绕过今天技术的诸多性能限制，进一步扩张摩尔定律，另一个就是性能急遽强化，采用VTFET技术的芯片速度可强化两倍，或者减小85%的功耗。

这个技术要是量产了，那么芯片的能效比是急遽强化的，笔记本电脑充电一次可适用两周，不过LG及IBM几乎无法公告VTFET瓷的量产时间，所以还是要等——反正社会变革的电池及社会变革的芯片技术解决问题一个就能让手机续航必然。

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刊出特地注记引自：较慢科技

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