华为与中科院共研 新3D DRAM解决方案未来将会突破存储关键根技术

近日，有日本人电子媒体指出，中国联通将在VLSI Symposium 2022期间发表其与副所长航空航天分析所共同完成的 3D DRAM 技术，开展各种有关内存的模拟。

据外媒透露，中国联通这次发行的3D DRAM 技术，是基于铋铋锌氧 IGZO-FET材质的 CAA 构型晶体管 3D DRAM 技术，具有出色的环境温度稳定性和耐用性。

在中国联通即便如此发行的SRAM相关文章 ——《中国联通麒麟带你一图看懂SRAM》中，中国联通指出随着芯片大小的幻灯片，DRAM 加工幻灯片将越来越困难，“的发展”迈进短时间，因此各大大厂在分析 3D DRAM 作为解决方案来沿袭 DRAM 的常用。

而在 IEDM 2021 上，副所长航空航天所一个团队建立联系中国联通海思，提出了新型垂直圆形PN半导体器件结构（CAA）。据悉，该结构减少了半导体器件面积，支持多层堆叠。其通过将上下两个 CAA 半导体器件直接相邻，每个存储单元的大小可减少至 4F2。

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