继续聊聊CMOS，一个永远也没有忽视的图像专有名词

随着上图层厚度的增大， Masked pixels的 Fill-Factor也在增大，因此PDAF回波也以后增大。目前所能推论到的大于 的Masked pixels是来自惠普于2019年发行的0.8μmGM1以及2020年发行的GD1（示意上图）。他们都是换用四上图层催化技术开发的方基本型在你日光度计上做到，并常用直观走廊来增强PDAF输成。

由于基于OCL的PDAF上图层不会牺牲表km，并且由于基于抗蚀剂（ resist-based）的工艺易于适配，因此OCL-PDAF被运用于于生成比较大的0.7μm日光度计，并且随着0.6μm上图层生成的做到，OCL-PDAF有望之后常用。

此外，随着自动传感器的进一步完善，基本上的2x1 OCL在结构上现已演变为2x2 OCL在结构上，以促使X和y顺时针上的PDAF。示意上图结果显示了推论到的在常用上面的不同2×2 OCL作法。在在在0.7μm、6400万上图层的OV64B上面推论到，豪威生物科技常用相当于2x2上图层的大型OCL，而惠普常用一对相邻的2x1 OCL来做到2x2效果，就像在去年推成的0.8μm、1.08亿上图层的HM1和HM3以及0.7μm的PI上面所推论到的那样。在在在上图层长度为 0.7 μm的HM2上 ，OCL-PDAF 一般来说用绿色走廊（green channe）来替换白色和金色走廊，以做到最大化的输成回波，其PDAF 单元密度为 32:1 或 36:1。

比起之下，公司扩展了以外阵佩2x2 OCL作法，其上面微透镜（microlens）的上图层大小是整个有源阵佩的两倍。这早先是在2020年发行的，1.12 μm、4800万上图层的日光度计IMX689上碰到的。，而在在也在IMX766和IMX789上推论到。由于以外阵佩自动传感器没有PDAF专用上图层，因此所有上图层都可运用于于幻灯片挖掘。

如示意上图附注，由于上图层内沟上端受控（ in-pixel trench isolation），双日光电电阻以外阵佩（Dual Photodiode full array）PDAF基本上是“大上图层”PDAF作法。公司在IMX700上面发行了Octa-PD技术开发，这是一款1.22μm、5000万上图层的Quad-Bayer CIS，它在所有彩色走廊上面的每个上图层都有2个日光电电阻。而惠普在GN2上面扩展了一种改进的双日光电电阻PDAF作法。这同样是一款1.40μm、5000万上图层的日光度计，较强倾斜的绿色走廊（slanted green channel）in-pixel DTI，越来越不易X和X顺时针的PDAF。惠普目前始终保持着在GN1上面带入的1.2μm的大于上图层厚度双日光电电阻PDAF作法的日志。

对于小上图层厚度的智能Android日光度计，低日光照必需下的很高回波输成之后驱动Color Filter Array（CFA）mosaic和pixel-binning合并策略。示意上图结果显示了智能Android幻灯片日光度计CFA装饰物的分辨率和上图层厚度。2019年，公司在IMX608上面常用了4x4 两组作法。2020年，惠普在1.08亿上图层的日光度计（HM1、HM2和HM3）上面换用的是3x3上图层两组方案，并将其命名为Nanocell。

示意上图结果显示了智能Android幻灯片日光度计的mosaics上面CFA长度与pixel-pitch的对比 ：莱曼、2x2、3x3和4x4）上图层厚度的关系。推论到最大CFA长度是4.48μm的IMX608，其次的是豪威生物科技2.8μm换用4cell技术开发的OV12D2Q以及惠普换用四上图层催化技术开发的GN2。从2020年的统计小数结果来看，智能Android幻灯片日光度计的CFA长度变化很大，小数介乎1.4μm和2.8μm之间。随着上图层厚度的进一步增大，3x3和4x4Mosaics.的耗能则会增大。

随着模板基本型CIS/ISP Die逐渐被选为本土化，对越来越小的TSV/DBI物联网的需求越来越加至关不可忽视。这是为了增加中央处理器迁走km，但越来越不可忽视的是为了促使上图层级物联网。示意上图结果显示了2014年至2021年间归纳的所有模板基本型日光度计的Cu-Cu混合键合的DBI长度趋向于。在大多数情况下，外围的行/佩物联网基本上是直到现在的本土化方案，推论到的行/佩物联网大于的TSV/DBI长度为3.1μm。

然而，到迄今，仅有3款直到现在商用的幻灯片日光度计借助于上图层级物联网进行时归纳，分别是来自黑莓2020 iPad Pro上的公司SPAD日光度计（150 X 200）、公司 SensSWIR IMX990/991 VGA日光度计和豪威生物科技的OG01A1B（100万上图层）。其上面，豪威的OG01A1B的DBI物联网长度大于，远超了2.2μm，公司SPAD日光度计的DBI长度量度值为5.0μm。

近年来，NIR（Near-Infrared）增强在安以外监视、测距运用于和空器美感方面授予了很多非议。为了越来越很高NIR以内内的量子生产成本，我们实施的一种有效作法就是增大CIS的活性锂大小（active silicon thickness），使其大约运用于于本土化飘移运用于的大小。示意上图结果显示了背照基本型日光度计的活性锂大小趋向于，突成了每个运用于。NIR增光度计的外延大小一般在5.9-7.1μm，这与运用于于本土化CIS的3.0-4.1μm的大小数值产生对比。

改善QE的另一个不可忽视作法是通过促使透镜进入EPI来增加入 incident IR的反向散射。我们推论到准备常用的仅仅限于浅上端/几何体和倒金字塔阵佩（IPA：Inverted Pyramid Arrays）。公司始终保持着最厚的CIS EPI（IPA）日志（6.2μm）和大于的上图层厚度（1.12μm）（IPA（2x2））。豪威生物科技从浅上端过渡到IPA，并在最越来越进一步日光度计（8 MP OS08A20）上通过适配IPA成功授予越来越很高的分辨率。安森美半导体和思特威分别在ARX3A0和SC5035上面演示了常用IPA（示意上图）。

2020年，我们碰到了3D起飞一段时间（TOF）幻灯片日光度计的的其发展，见证了在iPad Pro和iPhone 12 Pro/Max的后置摄像头模块上面首次常用D-TOF/LiDAR模板基本型+背照基本型日光度计，即公司SPAD日光度计。

示意上图发放了从上图层数、TOF作法和日光度计配置方面归纳TOF集成电路的趋向于，碰到来自公司、惠普和Gpixel为i-ToF之后推成VGA型日光度计。反向照明的变革借助于了常用850nm-940nm NIR波长QE。对于比起/示意控制，比较大的上图层数日光度计之后占促成地位。

意法半导体在在推成了VL53L5，这是一款64走廊前照基本型D-TOF SPAD日光度计，较强多目标基本功能，适运用于于前置飘移运用于。随着对躯干辨认/生物辨认技术开发的重视，可以认识到，未来越来越很高分辨率（可能会是VGA级）的前置TOF则会取得越来越多的换用。

从TOF的上图层厚度来看，如示意上图结果显示，随着背照基本型日光度计的其发展趋向于，小上图层的常用将会越来越多。到迄今，在开发者 Azure Kinect上推论到了大于的上图层厚度和最低的分辨率，这是一款3.5μm、100万上图层I-TOF日光度计。

之后，我们来想到每个运用于程序的上图层复杂度。

上图18结果显示了从前十年上面每上图层上面有效集成电路生产量（Teff）的变化趋向于。运用于于飘移运用于的CIS一般来说较强构建上图层，以便增加Teff。比起之下，I-TOF，比如说是基于惨案的幻灯片日光度计，一般来说借助于较强很很高集成电路生产量的非构建上图层，例如换用 4-Tap pixel以做到剖面分辨率的32T惠普I-TOF 33D和36T惠普231YX静态美薄膜度计。

目前，推论到集成电路生产量最低的是在在归纳的52T的公司和普诺飞思基于惨案的日光度计。基于惨案的日光度计往往涉及到越来越多的上图层复杂性，因为它们相结合了基本上CIS上面不常用的上图层级基本功能，例如量度回波强度的对数和上图层内一段时间戳的常用。因此，基于惨案的日光度计将给与于中央处理器区块和上图层级物联网，可以在的汽车、空器美感以及其他运用于上面之后其发展并取得越来越广泛的运用于。

说了这么多零售业理论性的研究内容，我们想到以外球cmos大厂的实际行动。

在2021年12同年16日，公司半导体解决方案同年其已成功开发成以外球首个双层集成电路上图层区块基本型 CMOS 幻灯片日光度计技术开发，高密度回波量约提高至 2 倍，使静态以内扩大并提高噪点。

基本上 CMOS 幻灯片日光度计的日光电电阻和上图层集成电路分布在同一基片，而公司的新技术开发将日光电电阻和上图层集成电路分离在不同的基片层。与基本上幻灯片日光度计比起，这一以外越来越进一步在结构上使高密度回波量约提高至原有的 2 倍，扩大了静态以内并提高噪点，从而显著越来越很高以外像安以外性。换用新技术开发的上图层在结构上，无论是在当前还是越来越小的上图层厚度下，都能始终保持或是提高上图层现有的特性。

（基本上的）区块基本型 CMOS 幻灯片日光度计的区块基本型在结构上上面，背照基本型上图层组成的上图层中央处理器区块在语义中央处理器之上，而回波处理电路看成了语义中央处理器。在上图层中央处理器内，运用于于将日光转换为电回波的日光电电阻和运用于于控制回波的上图层集成电路在同一基片层并称。在这样的在结构上限制下，如何做到高密度回波量的最大化，对做到很高静态以内、很高幻灯片质量的摄影较强不可忽视作用。

公司开发成的以外新在结构上是区块基本型 CMOS 幻灯片日光度计技术开发的一项突飞猛进。公司常用专有的区块技术开发，将日光电电阻和上图层集成电路封装在分离的基片上，一个区块在另一个上面。比起之下，在基本上的区块基本型 CMOS 幻灯片日光度计上面，日光电电阻和上图层集成电路并排座落同一基片上。越来越进一步区块技术开发支持换用可以独立改进日光电电阻和上图层集成电路层的架构，从而使高密度回波量比起于基本上幻灯片日光度计增大约一倍，进而扩大静态以内。

此外，因为数据传输门 (TRG) 以外的上图层集成电路，仅仅限于夺位集成电路 (RST)、选择集成电路 (SEL) 和反转集成电路 (AMP)，都处于无日光电电阻分布这一层，所以反转集成电路（AMP）的厚度可以增大。通过增大反转集成电路厚度，公司成功地大幅提高了夜间和其他昏暗场景示意幻灯片不易产生的噪点疑虑。

对于相片而言，固件当然是框架，只有在具备较佳的相相结合，才能有朝着多顺时针以外面其发展的可能会。

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之后，2021年即将从前，对于六六生物科技人来说，内心不能平静。

上面国南方航空破产重组，国内生物科技跨国公司赴外港上市热潮急剧；

“新疆棉惨案”爆发，连锁反应急剧；

自微信同年与利是造车后，滴滴、德隆、黑莓、OPPO等业者迅即同年自家的造车计划；

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地产大鳄恒大崩溃债务危空；北京环球影城开园；

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年末电商实况转播两大薇娅，因偷税漏税被罚13.41亿，旗下实况转播间被和平台关停。

从前的一年对摩托罗拉来说同样不平静，孟晚舟的回国，齐声了摩托罗拉战略的号角，上面国生物科技两大的“不妥协”，也被选为了上面国产业升级忠贞意志的纵观。

2022世界经济论坛越来越好吗？

答案是肯定的，走的人将乘风破浪、男子汉。

预祝大家2022元旦快乐，越来越进一步一年，我们之后相伴。