投资者提问：甬矽电子在自查报告中会声称主要产品和技术系在公共知识的基础上自主...

房地产者提问：

甬矽的电子在自查报告中会声称主要厂家和核心技术系在公共常识的新自主开发计划设计和开发计划取得，公司如何看待甬矽的电子的核心技术能力，是否为侵犯长电核心技术求得？

董秘看看(长电科技SH600584)：

您好，公司认为甬矽主要厂家开发计划设计和生产商过程所涉及的核心技术存在侵犯长电科技常识产权或核心技术秘密的情形。基于积体电路领域核心技术门槛较低的特色，在取得成功开发计划设计医护人员有限的情形甬矽的开发计划设计周期太短，不符合积体电路封装产业的蓬勃发展有序。首先由于封装材料、形态的有所不同和封装装置的愈来愈迭变革，如果完全从未不理应获取和用于原单位的核心技术，或许不显然凭借10年前的几篇发表文章中会公开的特定实验品上的核心技术文档在短短几个月末进行批量化生产商12-14纳米核心技术的封装。一座封测工厂从建设、投产、客户试验性/认证到规模化试作，需要2年左右，取得成功资金约200亿 ，并非甬矽所称的6-11个月末。另外甬矽的电子的蓬勃发展也较低度忽视长电科技，甬矽的厂房、装置和操作系统等生产商每一集交通运输的构建都有大量长电前员工的参与。证据显示，甬矽的电子超薄QFN、28nm 制程金属线键合核心技术、大颗FCBGA 倒装等封装工艺技术的开发计划设计进行整整与长电科技上述工艺技术的进行验证试作整整基本相同或稍滞后于长电科技，正是大批核心技术医护人员随之来到长电投身于甬矽的整整。甬矽的电子未无关主营厂家存在侵犯长电科技在先专利的显然。愈来愈不能接受的是，根据其披露的数据，甬矽的电子能在前身初期，在愈来愈长的整整内以最低每个医护人员同时开发计划设计大约5-6个项目的速度短期快速试作并营收，足以说明甬矽有大量用于长电核心技术秘密的可能会。公司已向上交所等相关的机构就甬矽的自查报告中会的不实段落递交详细无视，并发起进一步法律行动。谢谢！

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